Терморезисторы. Принцип работы
Преобразователи температуры. Термисторы
Термисторы, терморезисторы
Полупроводниковые терморезисторы
Платиновые термометры сопротивления
Платиновые и медные термосопротивления
Экспериментальные полупроводниковые датчики
- терморезисторы
Собственный нагрев термометров сопротивления
Термометры
Низкотемпературные (криогенные) терморезисторы и термопары.
Термодиоды и термотранзисторы

Термоэлектричество
Термоэлектрические охлаждающие устройства
Термоэлектрические преобразователи - генераторы ЭДС
Термоэлектрические преобразователи
Удлинительные термоэлектроды термопар
Термоэлектрический преобразователь


Термопары - градуировка
-хромель - алюмель
-платина 30% родий платина 60% родий
-хромель - константан
-медь - константан
-хромель - копель

Термопары ТХК
Термопары ТХА
Изготовление термопары
Сплавы для термопар
Градуировка термопары
Расчет температуры по значению термоЭДС термопары
Измерение температуры с помощью термопары

Пирометры
Пирометры Raytek
Пирометр MiniTemp MT6
Тепловизор Testo 890, тепловизионный монокуляр
Тепловизоры
Тепловизионный бинокль. Модуль

Явление Пельтье

Электронный термометр


Измерения с помощью датчиков, преобразователей, сенсоров
2. Измерительные преобразователи температуры
   Для измерения температуры в широком диапазоне используются различные конструкции датчиков и различные полупроводниковые материалы в качестве основы для чувствительного элемента с целью создать терморезисторы с высокой стабильностью и мало подверженные влиянию посторонних внешних воздействий /7,8/.
   Нами при создании измерительных преобразователей температуры использован полученный по разработанной технологии объемный дисперсный германий, а также  пленки германия. Дисперсный германий получен на основе исходного германия n-типа с удельным сопротивлением 15 Ом·см путем воздействия высоких давлений и температур. В результате дисперсный германий имел р-тип проводимости с высокой концентрацией носителей тока при комнатной температуре, что позволяет предположить, что акцепторные уровни созданы структурными дефектами /6/.

компенсированный терморезистор
температурная зависимость
датчик температуры
характеристики преобразователей температуры
Главная >> Публикации >> Полупроводниковые измерительные преобразователи... (температуры)
    Преобразователи, датчики, сенсоры - Информационный портал  © 2011 - 2021                          Использование материалов сайта возможно при размещении активной ссылки 
продолжение  1  2  3  4
русский / english
   На рис.6 показано схематическое изображение преобразователя температуры на основе пленочного германия. Размеры чувствительных элементов преобразователей из объемного германия 0.5х1.0х1.0 мм, пленочного 0.2х1.0х1.0 мм. Электрическое сопротивление  при 300 К составляет величину 1-10 Ом, при 4.2 К примерно 50-100 кОм. Чувствительность при 4.2 К - 100-200 %/К. Токи питания при 4.2 К - 1-10 мкА. Пленочные преобразователи имеют электрическое сопротивление при 300 К 1-50 кОм и предназначены, в основном, для измерений в климатическом диапазоне. Изолирующая подложка может быть металлизирована, что допускает применение пайки при монтаже и обеспечивает хороший тепловой контакт. Характеристики основных типов преобразователей температуры приведены в таблице 3.

   На рис.7 показана характерная температурная зависимость величины электрического сопротивления датчиков, на основе дисперсного германия, а на рис.8 зависимость величины погрешности измерения температуры, возникающей в магнитном поле за счет эффекта магнитосопротивления.
   Для измерений температуры в магнитных полях нами так же разработана конструкция чувствительного элемента, позволяющая компенсировать влияние магнитного поля путем сложения на измерительных контактах эффектов Холла и магнитосопротивления /9/. При измерении эффекта Холла измерительные контакты размещают симметрично напротив друг друга, перпендикулярно токовым, а при измерении магнитосопротивления они смещены или находятся вместе с последними.





















   Если же разместить токовые и измерительные контакты на образце так, как показано на рис.9, то при указанных на рисунке направлениях тока и магнитного поля, в полупроводнике n-типа проводимости изменение напряжения на измерительных контактах Uu , связанное с эффектом Холла и изменение напряжения, связанное с увеличением сопротивления образца в магнитном поле, будут иметь разные знаки, и поэтому складываясь будут приводить к меньшей величине измеряемого напряжения Uu по сравнению с тем, которое было бы при исключении одного из эффектов. В случае если холловское напряжение на контактах будет равно изменению напряжения на этих же контактах за счет магнитосопротивления, то измеряемое напряжение Uu будет таким как и в отсутствие поля и соответствовать градуировочному, зависящему только от температуры. Нами показано /9/, что для этого измерительные контакты необходимо разместить на расстоянии:

                                                                                   L = aRx /ρM
где а - ширина пластинки, Rx и  M =Δρ/ρB  - постоянная Холла и магнитосопротивление соответственно в области измеряемой температуры, ρ - удельное сопротивление, B - индукция магнитного поля.
   Точность измерения таким датчиком зависит от точности соблюдения параметров конструкции датчика и степени линейности зависимостей эффектов Холла и магнитосопротивления от магнитного поля. На изготовленных нами датчиках на основе пленок германия на арсениде галлия точность в области температур жидкого гелия и магнитных полей до 8 Тл не хуже 0.01 К.

- 3 -
Датчики, преобразователи. Sensors, transducers