Полупроводниковые измерительные преобразователи деформации, температуры и магнитного поля для применения в условиях радиационного облучения, широком диапазоне температур и магнитных полей
Беляков В.А., Горбачук Н.Т., Диденко П.И., Илясов О.В., Ламзин Е.А., Ларионов М.С., Максимов Б.П. , Сычевский С.Е., Филатов О.Г., Фирсов А.А., Шатиль Н.А., (Журнал "Вопросы атомной науки и техники", Серия: Электрофизическая аппаратура, в.3(29), 2005, с.46-54)
Полупроводниковые материалы обладают высокой чувствительностью к различным внешним воздействиям и при разработке на их основе измерительных преобразователей (датчиков) физических величин /15/ стремятся использовать такие материалы и конструкцию чувствительного элемента, чтобы преобразователь максимально реагировал на измеряемый параметр и пренебрежимо мало на остальные. В связи с развитием криогенной техники, атомной энергетики растет спрос на преобразователи работоспособные в диапазоне температур от климатического до криогенного, магнитных полей до 10 Тл и обладающие радиационной устойчивостью /1,4/.
В современном датчикостроении полупроводниковый материал применяется как правило в пленочном виде, преимущества которого заключаются в возможности использования интегральных технологий, создания серий преобразователей с идентичными характеристиками, более низкая стоимость получаемых чувствительных элементов и др.
Нами для создания измерительных преобразователей использованы пленки арсенида галлия на полуизолирующем арсениде галлия, пленки поликремния на подложках из кремния, пленки германия на подложках из арсенида галлия, а также объемный дисперсный германий. Исследования проведены в диапазоне температур 4.2-400 К.
1. Измерительные преобразователи механических деформаций
При измерении механических деформаций с помощью одиночных тензорезисторов в широком диапазоне температур, в условиях сложнонапряженных состояний обьекта, в присутствии магнитных полей, точность измерений значительно снижается /2,3/. Новые возможности в повышении точности измерений открывает использование пленок на изолирующих подложках, когда чувствительный элемент сформирован в виде определенной микросхемы кристаллографически ориентированной, а конструкция преобразователя позволяет устранять поперечную тензочувствительность /4,5/.
Для создания измерительных преобразователей механической деформации использованы пленки поликремния n и р-типа проводимости, толщиной 0.6 мкм и уровнями легирования 10^17 - 5·10^19 см -3 . Легирующей примесью для p-кремния служил бор.