Физические параметры полупроводников при температуре T = 300 К
Физические параметры: Кристаллическая структура, период решетки, плотность, температура плавления, температурный коэффициент линейного расширения, ширина запрещенной зоны, подвижность электронов, дырок, низкочастотная диэлектрическая проницаемость
Полупроводники: Ge, Si, C, α -SiC, GaN, GaP, AlAs, GaAs, InAs, AlSb, GaSb, InSb, ZnS , CdS, ZnSe, CdSe, ZnTe, CdTe, HgTe, PbS, NaCl , PbSe, PbTe (германий, кремний, углерод, карбид кремния, фосфид галлия, арсенид галлия, антимонид индия, хлористый натрий и др.)
* Температура фазового перехода
Преобразователи, датчики, сенсоры - Информационный портал © 2011 - 2023 Использование материалов сайта возможно при размещении активной ссылки
Физические параметры материалов
русский / english
Главная >> Физические параметры материалов >> Физические параметры полупроводников при температуре T = 300 К
• Представлена информация о различных преобразователях и датчиках физических величин, параметров различных физических процессов.
• Электрофизические свойства и эффекты в различных электротехнических материалах.
• Теория, экспериментальые результаты, практическое применение
Смотрите также:
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, ДАТЧИКИ, СЕНСОРЫ
Информация, новости, реклама
