Преобразователи, датчики, сенсоры - Информационный портал © 2011 - 2019 Использование материалов сайта возможно при размещении активной ссылки
русский / english
Главная >> Фотоэффекты, свет >> Характеристики фоторезистора
Характеристики фоторезистора
Сопротивление фоторезистора. Величина темнового сопротивления Rсо зависит от формы, размеров, температуры и физико-химической природы фоточувствительного слоя фоторезистора. Очень высоким темновым сопротивлением (от 10^4 до 10^9 Ом при 25°С) обладают PbS, CdS, CdSe. Невелико (от 10 до 10^3 Ом при 25°С) темновое сопротивление у InSb, InAs, CdHgTe. Сопротивление фоторезистора, подвергаемого облучению, быстро падает с увеличением облученности (рис.2).
Свойства фоторезистора можно описать эквивалентной электрической схемой, в которой темновое сопротивление Rсо включено параллельно с сопротивлением Rcp, величина которого определяется фотоэлектрическим действием падающего светового потока:
Rcp = aФ^ -γ
где а зависит от конкретного материала, температуры и от спектра падающего излучения, а γ обычно имеет значение от 0,5 до 1. При этих условиях общее сопротивление Rc выражается формулой
Рис.1. Спектральные области применения различных фоточувствительных (фотопроводящих, фоторезистивных) материалов
Рис.2. Примерная зависимость сопротивления фоторезистора от освещенности
